项目名称:
用於固態照明大功率GaN發光二極體的藍寶石剥離新方法
项目推行期:
20080201 - 20090930
交付项目:
• Deliverable 1
- GaN wafers with sapphire removed and replaced with a new metal substrate:
Wafer Size: Full Wafer (2-inch diameter)
Sapphire Removal Percentage: 100%
Wafer Number: 10 wafers
• Deliverable 2
- LED prototypes:
No. of packaged LEDs: 30
Chip Size: 1 mm x 1mm
Wall plug efficiency improvement: 15% (over flip-chip LEDs)
Drive Current: 350, 700, 1500 mA
Forward Voltage at 350 mA: < 3.7 V
Leakage Current at -5 V: < 5 uA
Reliability: light output power drop < 15% after 1000-hour operation at 350 mA at 50C
赞助:
香港微晶先進封裝技術有限公司
世紀晶源
香港城市大學
晶元光電股份有限公司
正越企業
中國砂輪企業股份有限公司
納峰科技有限公司
國立交通大學
羅門哈斯電子材料公司
香港中文大學
香港科技大學
香港大學
捷斯奧企業有限公司
描述:
這個研究項目是開發一種新型的大功率GaN發光二極體。傳統的鐳射剝離方法對於大多數公司來說有專利的限制，因此這個項目的核心技術是從晶片上剝離藍寶石，並且為大功率發光二極體晶片製造一種新型的金屬襯底。 GaN發光二極體能夠產生各種顏色的光：綠光（G）, 藍光（B）, 紫光，紫外光和白光。目前GaN發光二極體是採用藍寶石作為襯底。藍寶石是絕緣體而且不具有良好的熱傳導性，從而限制了大功率發光二極體的發展。這個瓶頸可以在項目中通過採用一種新型的襯底材料得以解決。 我們將和香港的大學和工業界，以及廣大的中華地區緊密合作。現在在中國大陸和香港都沒有大規模生產大功率白色發光二極體的公司。這個項目中的技術將被轉移到工業界來提升他們的技術水平，減低成本以及增加大功率發光二極體的產量。 儘管目前香港應用科技研究院的LED項目主要在發光二極體的封裝和應用上有強大的實力，這個項目將會有助於在香港應用科技研究院建立一個強大的發光二極體晶片設計和製造團隊，從而提高香港應用科技研究院的發光二極體研發的整體實力。
